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从三星最新40nm NAND看非易失性存储技术发展
作者：:Mike Clendenin

为了夺回NAND闪存的技术领导权，三星半导体近日推出一款采用40nm工艺制造的32Gb NAND闪存芯片。该芯片不再采用传统的浮动栅结构，而是采用了被三星称为电荷捕获闪存(CTF)的专有氧-氮-氧层结构。与此同时，三星公司还推出了密度为512Mb的最新型相变存储器原型。

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