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DRAM相关的文章介绍: |
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| 2008-07-03 | 罗升InnoDisk电子盘引入专业DRAM模块i-DIMM
为提供存储整体解决方案的嵌入式系统，罗升InnoDisk电子盘准备引入专业DRAM模块i-DIMM。为提供更多的选择给客户，罗升选择全球主要品牌宽温的DRAM IC和组装宽温的i-DIMM。 |
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| 2008-06-25 | 60部手机拆解揭示移动存储的未来
在相对较短的时间内，随着手机从商用工具发展成随处可见的大众通信工具，手机所使用的内存一直基于NOR闪存与SRAM的组合，最近是NOR闪存与pSRAM的组合。但是，这种内存配置正在面临使用移动DRAM(mDRAM)和/或NAND闪存组合的方案的挑战。 |
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| 2008-06-18 | NAND闪存价格继续下跌，近期反弹机会渺茫
自五月以来由于淡季因素持续下滑的NAND闪存市场，虽然业界厂商共同努力，希望能让主流的8Gb芯片不致跌破2.5美元关卡，可惜近期油价高涨及通胀严重导致全球消费者紧缩开支，成了NAND闪存市场需求不振最大杀手，价格罕见地一再破底，8Gb芯片最新低点到了2.35美元，让存储芯片厂商相当头痛。 |
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| 2008-04-17 | 全球芯片与设备市场2008年将放缓
消费者已感受到经济增长放缓的压力，全球半导体与电子设备供应商也是如此。据iSuppli公司，这些厂商在2008年面临需求增长放慢的局面。 |
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| 2008-04-17 | 提升中高端手机平台体验，Spansion开始提供65nm MirrorBit Eclipse闪存样片
全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion日前宣布，开始向其战略型OEM客户提供针对手机的65nm MirrorBit Eclipse闪存解决方案样片。通过将标准NOR闪存所具有的出色随机存取性能与MirrorBit Eclipse架构所拥有的业内领先的编程能力相结合，Spansion基于MirrorBit Eclipse架构的MCP产品将为使用中高端手机平台的用户带来非同凡响的使用体验。 |
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| 2008-04-08 | 变身全球最大NOR闪存芯片供应商，恒忆(NUMONYX)强势进军存储器市场
恒忆公司作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM的存储器，并利用新型相变移位存储器（PCM）技术，为存储器市场开发、提供创新的存储器解决方案。新公司凭借其雄厚实力和技术专长，在成立之初就成为存储器市场的领先厂商，专注于存储器开发制造业务，为手机、MP3播放器、数码相机、超便携笔记本电脑、高科技设备等各种消费电子产品制造商提供全方位的服务。 |
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| 2008-04-07 | ISSCC大会：多种新型存储器技术领风骚
下一代存储器竞赛继续吸引新锐入局，又有几家公司开始站在起跑架上。但目前的几种存储器是否或在何时能渐成主流仍是个问题。 |
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| 2008-03-26 | Microchip全新SPD EEPROM器件，支持DDR2及DDR3 DIMM模块
Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出全新系列串行存在检测(Serial Presence Detect，简称SPD)EEPROM器件。它们既能支持现今高速个人计算机中最新的双倍数据速率(DDR2) DIMM模块，还可支持未来的DDR3 DIMM模块。 |
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| 2008-02-21 | DRAM制造商的增长“由鼎盛走向衰败” 市场研究集团IC Insights的研究报告显示，在2007年的销售收入增长排名中，DRAM制造商的表现最差，颠覆了一年以前的趋势。 |
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| 2008-01-25 | 奇梦达开始供应首款512Mb XDR DRAM样品 奇梦达公司(Qimonda)宣布已开始向客户供应首款512Mb XDR DRAM的样品。XDR(Extreme Data Rate)内存解体决方案扩展了奇梦达的绘图RAM产品组合，以针对全球成长快速的计算机和消费性电子市场，提供更佳的高效能、高频宽应用。 |
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| 2007-10-22 | DRAM市场继续变化莫测 DRAM的产能已经超越了OEM的需求。但这是否意味着2007年下半年就会出现严重产能过剩呢？从目前市场的情况来看，很难给出答案。 |
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| 2007-09-21 | 集邦：九月下旬DRAM合约价格预计下滑10%左右 DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2 512Mb 667MHz 之下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2 eTT下跌至1.31美元。 |
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| 2007-08-16 | 海力士DRAM产品获ISi的Z-RAM存储技术授权，将大幅度缩减DRAM尺寸 Z-RAM高密度存储知识产权(IP)开发商Innovative Silicon Inc(ISi)，与海力士(Hynix)半导体有限公司日前宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。 |
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| 2007-07-19 | 奇梦达5纳米512Mbit低功耗DRAM问世，瞄准便携设备应用 存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。Mobile RAM产品是一种超低功耗的DRAM，与同等密度的标准DRAM相比，功耗低80%，主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码相机和MP3播放器等移动产品。 |
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| 2007-06-18 | DRAM价格一路走低，闪存销售加速增长 三星和海力士(Hynix)在DRAM市场的残酷价格战是最近一个季度价格下降的主要成因之一。与512Mb相当的DRAM的平均售价下降到了2.96美元。价格战和产能过剩将使今年整个内存销售额下降11.1%。 |
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| 2007-06-01 | 韩国DRAM龙头地位面临挑战，价格因素让中国后来者居上？ 市场研究机构iSuppli近日表示，长期占据全球DRAM内存工业统治地位的韩国公司，正处于未来三年内失去出货量领先地位的危险之中。现在韩国的DRAM内存工业仍在全球居于领先地位，主要厂商三星和海力士占据了全球45%的DRAM内存收入，与之相比，中国内地和台湾地区占有17%的份额。 |
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| 2007-04-18 | Sun、Unisys诉讼被驳回，DRAM价格操纵案何时了 美国一位联邦法官驳回了Sun和Unisys针对DRAM厂商的诉讼。该诉讼与20世纪90年代末和本年代初DRAM行业中的价格操纵有关。据法院存档文件，美国联邦地方法院法官Phyllis Hamilton同意驳回诉讼，Sun打算重新提起诉讼。 |
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| 2007-04-10 | 不同类型DRAM的介绍与分析 最近几年，随着计算机硬件和软件的快速发展，对先进的计算动态随机存储器(DRAM)模块的要求一直在迅猛增长。其结果是，今天的DRAM模块的数据率发展的越来越快，存储器密度也越来越高。与此同时，DRAM的体积和功耗还在不断地减小以满足先进计算应用的要求。 |
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| 2007-04-02 | DRAMeXchange：NAND闪存合同价上涨，DRAM需求5月前难回升 DRAMeXchange公司最近所作的一项NAND闪存价格调查显示，4Gb, 8Gb, 16Gb和32Gb的MLC芯片合同价格飙升了4%~7%，而不同容量的SLC芯片价格则相差不大。这是今年以来的第二次价格上涨，第一次上涨是在农历1月份。DRAMeXchange认为，价格上涨的是由于4月份上游供应商预计会供货不足而造成的。 |
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| 2007-03-23 | iSuppli：NAND市况“有史以来最糟糕”，DRAM也遭遇寒流 根据iSuppli公司的正式消息，NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的，并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地，供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。 |
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| 2007-03-20 | 支持视频预处理和移动DDR DRAM的H.264芯片 视频压缩芯片供应商Qpixel Technology International公司将推出一种低功耗芯片QL201B，该芯片支持H.264视频编/解码器标准的基线和主类规范。QL201B的架构和功能的设计使出众的视频品质成为可能，并把便携式消费电子设备的工作时间延长了几个小时。Qpixel使用了更高效地实现H.264主类的创新算法，以QL201B实现了功能的平衡，并进一步改进了视频质量。 |
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| 2007-02-27 | 平均售价直线下滑，DRAM市场濒临崩溃 DRAM市场已经崩溃，至少暂时是这样。—年初以来DRAM的平均销售价格(ASP)已累计下滑30%。台湾地区的内存供应商力晶半导体总裁Brian Shieh表示，2007年全年预计DRAM价格下跌31.3%，但1月迄今平均售价的下跌幅度已经达到这个预期水平。 |
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| 2007-02-22 | 消费类应用疲软，DRAM/NAND市场状况不甚理想 随着对PC需求的疲软，iSuppli已把近期对DRAM市场的评级定为下降度，同时对近期NAND市场状态也继续持负增长的评级。DRAM现货市场价格已连续三周出现下滑，iSuppli的DRAM市场指数自2006年8月28日这一周以来，达到了最低水平。 |
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| 2007-02-20 | 2006年DRAM排名榜出炉，Elpida、海力士最为闪耀 据市场调研公司iSuppli的初步排名，Elpida Memory Inc.和海力士半导体成为2006年DRAM产业中的明星企业。海力士超越了奇梦达，在2006年第四季度和全年的排名均升至第二位。日本Elpida超过了美国美光，在第四季度排名第四。但美光的2006年全年排名在Elpida之前。 |
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| 2007-01-01 | 沟槽、堆栈你争我赶，两大DRAM产业阵营竞争如火如荼 目前全球DRAM产业分为沟槽式及堆栈式两大阵营，其中沟槽式阵营是以奇梦达（Qimonda）、南亚科、华亚科、华邦电为代表；而三星电子、海力士（Hynix）、美光（Micron）、力晶、茂德等公司采用的则是堆栈式技术。 |
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| 2006-12-20 | 价格大跌延缓07年DRAM市场收入，新兴工厂带动供货量增长 DRAM市场将在2007年迎来重要转折，因为届时该市场的年收入将达到历史第二高的369.5亿美元，仅次于1995年408亿美元的记录。但是，由于产品价格的下跌，该市场收入的增长却将比2006年的增长逊色不少，年销售增长率却将仅达到11.3％，远低于2006年惊人的33.6％。 |
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| 2006-12-06 | 快速+小体积+低耗电，海力士推出新款移动DRAM芯片 韩国海力士半导体公司近日宣布，该公司成功开发出目前世界上速度最快、体积最小的512兆移动动态随机存取存储器（DRAM）。DRAM广泛应用于电脑、手机等电子产品中。 |
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| 2006-11-27 | iSuppli：DRAM市场形势大好，第三季度Qimonda势头最猛 根据iSuppli公司的初步预测，在2006年第三季度，全球5大DRAM供应商中数Qimonda AG公司的增长势头最为强劲，其牢牢守住了全球第二大DRAM供应商的位置。 |
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| 2006-10-23 | 华邦新款56Mb低功率DRAM系列遵循JEDEC标准 华邦电子针对移动设备应用特性，推出一系列低功率动态内存，并在eMEX 2006中展出。其中包括一款容量256Mb的低功率DRAM，W988D6E/W988D2E。其目标市场包括：低端智能手机、中高端数字照相机、全球定位系统(GPS)、MP3播放器、PDA等。有别于Pseudo SRAM无统一标准，华邦电子该系列DRAM遵循JEDEC标准。 |
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| 2006-08-18 | 你方唱罢我方登场，NAND、NOR、DRAM轮流坐庄闪存市场 市场研究公司iSuppli近日指出，由于价格的持续下降，NAND闪存在第二季度遭遇了寒冬，而NOR闪存和DRAM则显示出强劲势头。因此，该公司表示2006年全年NAND销售量的增长将达不到其之前预测的水平。由于第二季度NAND产品的销量下滑了15.7%，而NOR和DRAM产品的销售却分别增长了6%和16%，iSuppli公司将之称为芯片内存领域的“角色转换”。 |
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| 2006-07-07 | 台湾地区DRAM厂商齐步迈入70纳米时代 日前，奇梦达正式对外宣布，将于2006年底前导入75纳米制程，并计划于德国12英寸厂试产，而身为其重要合作伙伴的华亚科也对外表示，与奇梦达最新制程技术将会同步。据了解，到8月底前华亚科将全数改采90纳米制程生产DRAM。 |
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| 2006-07-06 | 6月20日至6月26日DRAM与NAND价格走势分析 来自存储器市场研究机构DRAMeXchange的分析，6月20日-26日期间，现货市场方面，DRAM价格并无明显变化，大致上还是维持在平盘水平，DXI指数由上周3324小幅反弹至3344。 |
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| 2006-04-19 | 库存过剩导致NAND价格下降，DRAM供应紧缺 市场研究机构Gartner Dataquest日前发布报告，称最近DRAM和NAND闪存价格走势相反，市场需求不旺。 |
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| 2006-04-18 | Elpida推出数据速率达4GHz的512Mbit XDR DRAM Elpida推出512Mbit XDR DRAM样品。这些DRAM的数据速率为4GHz，在单个产品中的数据传输速率可达8GBps，适用于各种数码消费产品，如需要高带宽的高清晰度电视、游戏机和家庭娱乐设备，它支持三维图像、卓越的数字影像和高级多媒体。XDR DRAM采用Rambus公司开发的XDR存储器接口架构。 |
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| 2006-03-22 | 钰创推出系列x32 DRAM，瞄准手持消费等应用 看好数字家庭以及可携式多媒体产品的成长潜力，钰创科技(Etron Technology)推出一系列x32新产品，包括4Mbx32 DDR、4Mbx32 SDR，以及2Mbx32 1.8V SDR，宣称能以更低功耗、更高频宽的特性，降低客户产品成本与设计复杂度。钰创表示，新一代产品线采BGA封装，亦提供优良晶粒(KGD)供客户选择，目前已供应样品予客户验证，预计将于今年第二季大量供货。 |
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| 2005-12-26 | ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM Integrated Silicon Solution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDR DRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，工作频率为200MHz，传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域，如网络和通信设备、HDTV、LCD TV、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。 |
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| 2005-12-20 | ISSI低密度DRAM产品适合消费电子等应用 ISSI日前推出首颗128Mb DDR DRAM——IS43R32400A，该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，速度达200Mhz，速决传输率达1.6Gbps。 |
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| 2005-12-14 | Hynix Semiconductor推出512Mb GDDR4 DRAM Hynix半导体最新推出的512Mb GDDR4 DRAM是一种超高速图像DRAM，可处理个人计算机和游戏机的活动图片及图像数据 |
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| 2005-11-17 | 英飞凌可能将DRAM业务分拆上市，而非出售？ 英飞凌可能赞成把旗下的DRAM业务公开上市(IPO)，以代替将该部门出售。据英国《金融时报》报导，英飞凌的监事会有望在近日召开的一个会议上批准分拆DRAM业务。报导称，分拆是DRAM部门在2006年夏季上市的前提。这与路透日前的报导有所出入，该报导援引美国投资银行Needham & Co.的话称，美光将购买英飞凌的美国资产。 |
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| 2005-11-10 | iPod nano对DRAM市场影响有限，可能导致MP3市场洗牌 苹果电脑与三星电子签署协议，将在2005年购买三星电子的大部分NAND闪存产量，以用于iPod nano MP3播放器之中 |
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