存储器市场晴雨表

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[ 2008年7月25日 ]

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存储器市场晴雨表	首页 / 存储器市场晴雨表

•	IBM存储器技术研究最新进展，有望实现在单个原子上存储1比特

•	东芝开发出16Gb NAND闪存芯片技术采用43纳米工艺
•	松下推出32GB高速SDHC闪存卡，传输速度可达20MB/s
•	产品供过于求，亚洲两存储芯片商亏损严重
•	Nanochip融资1400万美元，纳米芯片技术大大提高存储容量
•	通过多通道磁道技术扩展传统磁带数据存储能力

•	改进供应有效性，三星和东芝共享NAND Flash产品规格
•	内存价格下跌压缩利润空间，三星08年将控制产能
•	便携式产品中的NAND闪存全方位解析
•	三星首颗64GB NAND闪存芯片出炉，闪存发展史上的一次新飞跃
•	日立存储下一代磁头研发取得新突破，有效推动千兆驱动器发展

•	INDILINX获授权使用CEVA SATA 3.0Gbps Device IP，用于固态驱动应用
•	06年海力士表现出色，PMP/MP3用NAND闪存功不可没
•	iSuppli：9月开始内存价格将再次下跌
•	苹果引发闪存供应危机？闪存价格可能继续上升
•	NAND闪存应用格局发生新变化，手机用量首超闪存

•	内存芯片价格还将再次下滑，存储大厂清货是主因
•	DRAM价格一路走低，闪存销售加速增长
•	深度剖析：NAND市场Q1大跳水，三大巨头“掠走”89%市场份额
•	韩国DRAM龙头地位面临挑战，价格因素让中国后来者居上？
•	iSuppli降低半导体市场收入预测，存储市场发展减缓是主因

•	DRAMeXchange：NAND闪存合同价上涨，DRAM需求5月前难回升
•	iSuppli：NAND市况“有史以来最糟糕”，DRAM也遭遇寒流
•	什么使它比内存快500倍？深入解析新型内存芯片
•	新技术竞争硝烟滚滚，硬盘市场未来谁主沉浮
•	瞄准消费电子/无线通信产品，意法力推70nm工艺NAND闪存

•	外置存储EMD成NAND推动器，微软、SanDisk将双赢于Vista
•	从三星最新40nm NAND看非易失性存储技术发展
•	过度供给需求疲弱，NAND闪存遭遇商业暴风雨
•	执同行业之牛耳，三星65nm 4Gb NAND闪存剖析
•	第三季度NAND闪存市场：东芝大放异彩，MLC技术渐受青睐

•	英特尔美光火上浇油，新建晶圆厂让NAND市场压力加大
•	三星又做领头羊，多芯片封装技术强势登场
•	从对比最新芯片入手，解读NAND闪存领域两强争霸
•	NAND市场形势低迷，供应商依旧看好
•	价格疲软如故，NAND销售将少15亿美元进账！

•	NROM技术难派用场，奇梦达停止开发NAND闪存
•	硬盘、闪存存储市场龙头之争告罄，融合才是大势所趋？
•	闪存价格九月回暖，下游厂商即将提价？
•	高性能+高安全性+高集成度，“三高”引领未来闪存发展方向
•	iPod有负众望，未来NAND闪存惨淡经营？

•	蝴蝶效应：iPod谣言刺激NAND市场
•	NAND市场变幻莫测，趋于稳定尚待时日
•	NAND闪存市场欣欣向荣，台湾地区厂商蠢蠢欲动
•	业界流传“取货”传闻，NAND闪存市场回暖？
•	众厂家“摩拳擦掌”，欲“霸”闪存市场

•	分析师依旧看好闪存，新技术难撼其地位
•	库存产品急需清仓，闪存价格下滑是人为操纵？
•	NAND闪存销售一路飙升，半导体史上成长最快？
•	6月20日至6月26日DRAM与NAND价格走势分析
•	Q3将掀NAND需求高潮，闪存市场即将回暖？

模拟混合信号

[公告] 新网站启动

模拟混合信号设计

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